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  • 型号: IPP032N06N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP032N06N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP032N06N3 G价格参考。InfineonIPP032N06N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP032N06N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP032N06N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160

产品图片

产品型号

IPP032N06N3 G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 118µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13000pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

165nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 100A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP032N06N3G
IPP032N06N3GXKSA1
SP000453612
SP000680770

功率-最大值

188W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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